【TechWeb】6 月 2 日消息，据国外媒体报道，三星电子日前表示，计划投资 8 万亿韩元（约合人民币 466 亿元）在韩国平泽工业园区建 NAND 闪存生产线。

三星电子

生产线建设上月已经开始，预计 2021 年下半年开始生产三星最先进的 V-NAND 产品。

三星电子表示，此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命，以及 5G 普及而来的 NAND 需求。

上月，三星电子还透露，已在平泽投资建设生产线，新产线专注于基于极紫外光刻（EUV）技术的 5nm、及以下制程。新产线已开始建设，预计明年下半年开始量产 5nm 芯片。

三星电子表示，加上平泽生产线，韩国将拥有 7 条芯片制造产线。

三星电子去年 4 月曾提出 半导体愿景 2030，计划到 2030 年对系统芯片研发和生产技术领域投资 133 万亿韩元（约合人民币 7658 亿元）。