台积电

紫金财经 7 月 13 日消息 据台湾媒体的报道，台积电 2nm 技术研发已取得重大突破，找到了实现的路径，并将切入环绕式栅极技术（gate-all-around，GAA）。此外，台积电还被曝出已向美国提交相关的申请资料，打算进一步争取对华为供货的 宽限期 。

对台积电来说，目前已切实感受到来自三星的竞争压力。有消息称，三星决定在 3nm 率先导入 GAA 技术，并宣称到 2030 年超过台积电，取得全球逻辑芯片代工龙头地位。台积电在 2nm 技术研发上取得突破，再次取得对三星的相对领先优势。

按照台积电的计划，其 2nm 制程芯片将在 2023 年 -2024 年间推出。截至目前，华为是台积电最大的芯片客户，因此，与华为维持合作在此时对台积电来说显得至关重要。这也就不难理解台积电出头，为华为争取进一步的宽限期了。

台积电 3nm 制程预计明年上半年在南科 18 厂 P4 厂试产、2022 年量产。台积电今年 4 月曾表示，3nm 仍会沿用 FinFET（鳍式场效应晶体管）技术，主要考虑是客户在导入 5nm 制程后，采用同样的设计即可导入 3nm 制程，可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品 。

台积电成立于 1987 年，是全球最大的晶圆代工半导体制造厂，客户包括苹果、高通等等。其总部位于台湾新竹的新竹科学工业园区。（紫金财经综合）